Компании Intel и Micron Technology официально сообщили о новом достижении в деле освоения более «тонкого» технологического процесса для изготовления интегральных микросхем NAND флэш-памяти. Согласно пресс-релизу, изготовлены 34-нм микросхемы с многоуровневой ячейкой памяти, что позволило создать устройства вместимостью 32 Гбит. На данный момент изготовлены только первые образцы микросхем, в июле начнутся поставки единичных экземпляров заказчикам, а вот серийное их производство планируется наладить во второй половине 2008 года.

Интегральные микросхемы упакованы в 48-конактные корпуса типа thin small-outline package (TSOP), и основной областью применения показанных устройств станут твердотельные (SSD) накопители, которым пророчат светлое будущее в качестве замены традиционным винчестерам. Представленные микросхемы интересны еще и тем, что позволяют разработчиками снизить стоимость одного гигабайта в случае SSD-устройств, поставляя на рынок более емкие накопители. В данном случае упоминается о 1,8-дюймовых устройствах хранения данных объемом до 256 Гбайт.

 К концу года Intel и Micron Technology планируют представить менее вместительные, но более скоростные микросхемы флэш-памяти, изготовленные по все тому же 34-на техпроцессу, но основанные на одноуровневых ячейках памяти.