ОБЗОР ПАМЯТИ OCZ DDR PC-3200 Gold Edition

Как-то в новостях мне попались на глаза модули памяти от OCZ - OCZ Technology EL DDR PC-3200 Gold Edition Dual Channel, но тогда я не обратил на эту память должного внимания. Но недавно мне посчастливилось подержать в руках данные модули, а чуть позже я решил написать обзор.

Но, для начала давайте перейдем к истории развития памяти. Как мы знаем, модули памяти с низкой латентностью работают намного быстрее модулей с высокой латентностью. Это можно объяснить, тем, что в первом случае памяти надо намного меньше времени для реализации операций. Стоит сказать, что память с таймингами 2-2-2-5 первой произвела компания Samsung, поэтому OCZ, по сути, изобретала "велосипед". Но стоит отметить, что OCZ давно славится самыми быстрыми модулями памяти. И это понятно из названия, даже в релизах памяти всегда пишется, что память произведена специально для геймеров или оверклокеров. Но давайте не будем говорить попусту, а лучше сразу перейдем к делу.

Упаковка и внешний вид

Итак, как стало ясно еще из названия, память продается в упаковке, которая должна содержать сразу два модуля. Так и оказалось, перед нами предстала упаковка красного цвета, в которой находились два модуля емкостью 512Мб каждый.

По внешнему виду модулей сразу становится ясно, почему в названии присутствует сочетание "Gold Edition". Как оказалось, радиаторы памяти покрашены краской золотистого цвета. В середине радиаторов красуется название компании "OCZ Technology". Здесь же наклеена табличка, информирующая нас о типе модулей памяти, которые мы сейчас держим в руках.

Как сообщает компания OCZ, и как указано на табличке с параметрами, память работает на напряжении 2.8v, но и при более высоком напряжении вплоть до 3v память будет ощущать себя вполне нормально. Т.е. проще говоря, модули памяти позволяют увеличить скорость их работы поднятием подаваемого на них напряжения.

Давайте снимем радиаторы и посмотрим, что находится под ними. А под ними как, оказалось, находятся микросхемы производства компании OCZ, т.е. модули выполнены по собственной технологии производства. По маркировке микросхем становится ясным, что модули имеют время выборки 5ns. И вот тут появляются небольшие сомнения о способности данной памяти к работе на такой скорости при напряжении 2.8v.